本次测试的两块固态。
台讯 S500 128G 台讯 S500 256G
外包装图
128G开盖↓↓↓
256G开盖↓↓↓
128G正面↓↓↓
256G正面↓↓↓
128G 使用一颗SKhynix 1G DDR3外置缓存(G5TQ1G63EFR-11C) ↓↓↓
128G 使用两颗SKhynix (H27QFG8YHE9R-BCF)↓↓↓
128G 使用SM2246EN 主控↓↓↓
256G 使用一颗闪迪256G(居然是一颗。)↓↓↓
256G 使用SM2246XT 主控。↓↓↓
128G 空盘跑分↓↓↓
256G 空盘跑分↓↓↓
128G 写110G跑分↓↓↓
256G写 170G跑分。(因为256G掉速似乎有点严重。所以只写了170G)↓↓
256G 写入。就只有那么点了。掉速比较明显↓
两个固态写入了下面这么多文件后的测试↓↓↓↓
总结
型号 | 128G | 256G |
主控 | SM2246EN | SM2246XT |
主控特性 | 超高效能 連續讀取:每秒 540 MB* 連續寫入:每秒 487 MB* 隨機讀取:80,000 IOPS* 隨機寫入:80,000 IOPS* 快閃記憶體介面:4 CE 通道:8 支持 16-bit DRAM DDR2/DDR3/DDR3L 外置缓存 | 超高效能 連續讀取:每秒 520 MB* 連續寫入:每秒 300MB* 隨機讀取:28,000 IOPS* 隨機寫入:65,000 IOPS* 快閃記憶體介面:4/2 CE 通道:4/2 不支持外置缓存 |
颗粒 | H27QFG8YHE9R BCF | - |
颗粒特性 | 看文末的链接吧 | - |
位置缓存 | SKhynix H5TQ1G63EFR | 无 |
外置缓存特性 | 1Gb DDR3 SDRAM | 无 |
总结 | 这两个主控都是使用BCH ECC。所以在纠错能力上没区别。 256G的主控。明显比128G的要差一截。并且不支持 外置缓存。 两颗主控都只能支持slc和mlc 。 从拆开的两颗128G颗粒上来看。结尾BCF B= Included Bad Block C=商用工作温度0-70 F=I/O读写速度 400MB/S
两块固态的颗粒都是MLC这个确信无疑。 128G的比256G的好太多有点出乎意料 如果256G 用128G的方案。数据应该会更漂亮。
杂牌SSD。能这样已经不错了。至少不像某些明目张胆的用黑片。 |
完整主控数据
http://cht.siliconmotion.com/A3.2_Partnumber_Detail.php?sn=7
外置缓存具体数据
https://wenku.baidu.com/view/1bd1553b16fc700aba68fc20.html
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